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在产品方面，目前公司以6英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球客户的需求。产能上，公司上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持续发力提升6英寸衬底的产量；晶体质量和厚度持续提升，规模化生产衬底质量稳定可靠。通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。

在技术及研发方面，一直以来，公司持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。和PVT法相比，液相法在位错控制方面具有优势，因有机会制备出更高品质的碳化硅单晶而备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。近日，公司采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，尚属业内首创，利用TSD转化原理，晶体缺陷大幅下降。

除了产品尺寸，在加大晶体厚度方面，采用公司最新技术制备的晶体厚度已突破60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是公司重点布局的技术方向之一。

SiC半导体应用发展进入快车道，特别是在高压高功率领域优势更加凸显，发展加速，新的应用场景不断涌现，但最关键的衬底制备环节具有极高的技术门槛和较长的扩产周期，加剧了供需缺口。天岳先进继续在产品尺寸、晶体厚度、衬底品质等多维度持续加大研发和技术提升，始终保持领先，引领行业发展。

来源：天岳官微

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